Opis
Dobava vključuje
MOSFET Infineon Technologies BSP135H6327 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
Varnost izdelkov (GPSR)
Proizvajalčeva koda: BSP135H6327
EAN koda: 2050000021237
Registrirana blagovna znamka: Infineon Technologies
Ime proizvajalca: Infineon Technologies AG
Naslov proizvajalca: Am Campeon 1-15
Poštna številka proizvajalca: 85579
Kraj proizvajalca: Neubiberg
Država proizvajalca: Germany
Telefon proizvajalca: +49892340
Elektronski kontakt proizvajalca: https://www.infineon.com/cms/de/
Kontakt odgovorne osebe za varnost: [email protected]
Država odgovorne osebe za varnost: Nemčija
Dokumenti
Tehnični podatki 153163 Infineon Technologies BSP135H6327 MOSFET 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
Tehnični podatki
| Vrsta |
BSP135H6327 |
|---|---|
| Vrsta izdelka |
MOSFET |
| Ohišje |
TO-261-4 |
| Proizvajalec |
Infineon Technologies |
| Proizvajalec |
INF |
| Izvedba |
N-kanal |
| I(d) |
120 mA |
| U |
600 V |
| Moč (maks.) P(TOT) |
1.8 W |
| R(DS)(on) |
45 Ω |
| R(DS) nazivni tok |
120 mA |
| R(DS) referenčna napetost |
10 V |
| U(GS)(th) maks. |
1 V |
| U(GS) (th) referenčni tok maks. |
94 µA |
| Q(G) |
4.9 nC |
| Q(G) referenčna napetost |
5 V |
| C(ISS) |
146 pF |
| C(ISS) referenčna napetost |
25 V |
| Delovna temperatura min. |
-55 °C |
| Način montaže |
površinska montaža |
| Serija |
SIPMOS® |
| Delovna temperatura (maks.) |
+150 °C |
| Značilnost tranzistorja |
način sprejemanja |
| U(DSS) |
600 V |
| Kanali |
1 |
| Vsebina |
1 kos |
- Povej naprej:
-
-
-
0 od 5