Opis
Dobava vključuje
MOSFET Infineon Technologies BSP149 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
Varnost izdelkov (GPSR)
Proizvajalčeva koda: BSP149
EAN koda: 2050000021336
Registrirana blagovna znamka: Infineon Technologies
Ime proizvajalca: Infineon Technologies AG
Naslov proizvajalca: Am Campeon 1-15
Poštna številka proizvajalca: 85579
Kraj proizvajalca: Neubiberg
Država proizvajalca: Germany
Telefon proizvajalca: +49892340
Elektronski kontakt proizvajalca: https://www.infineon.com/cms/de/
Kontakt odgovorne osebe za varnost: [email protected]
Država odgovorne osebe za varnost: Nemčija
Dokumenti
Tehnični podatki 153177 Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
Navodila za uporabo in varnost 153177 Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
Navodila za uporabo in varnost 153177 Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
Navodila za uporabo in varnost 153177 Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
Navodila za uporabo in varnost 153177 Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
Navodila za uporabo in varnost 153177 Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
Navodila za uporabo in varnost 153177 Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
Navodila za uporabo in varnost 153177 Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
Navodila za uporabo in varnost 153177 Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
Navodila za uporabo in varnost 153177 Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
Navodila za uporabo in varnost 153177 Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
Navodila za uporabo in varnost 153177 Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
Navodila za uporabo in varnost 153177 Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
Navodila za uporabo in varnost 153177 Infineon Technologies BSP149 MOSFET 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4
Tehnični podatki
| Vrsta |
BSP149 |
|---|---|
| Vrsta izdelka |
MOSFET |
| Ohišje |
TO-261-4 |
| Proizvajalec |
Infineon Technologies |
| Proizvajalec |
INF |
| Izvedba |
N-kanal |
| I(d) |
660 mA |
| U |
200 V |
| Moč (maks.) P(TOT) |
1.8 W |
| R(DS)(on) |
1.8 Ω |
| R(DS) nazivni tok |
660 mA |
| R(DS) referenčna napetost |
10 V |
| U(GS)(th) maks. |
1 V |
| U(GS) (th) referenčni tok maks. |
400 µA |
| Q(G) |
14 nC |
| Q(G) referenčna napetost |
5 V |
| C(ISS) |
430 pF |
| C(ISS) referenčna napetost |
25 V |
| Delovna temperatura min. |
-55 °C |
| Način montaže |
površinska montaža |
| Serija |
SIPMOS® |
| Delovna temperatura (maks.) |
+150 °C |
| Značilnost tranzistorja |
način sprejemanja |
| U(DSS) |
200 V |
| Kanali |
1 |
| Vsebina |
1 kos |

0 od 5