Opis
Dobava vključuje
MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-E3 2 P-kanal 1.4 W SOIC-8
Varnost izdelkov (GPSR)
Proizvajalčeva koda: SI4948BEY-T1-E3
EAN koda: 2050003224109
Registrirana blagovna znamka: Vishay
Ime proizvajalca: Vishay Electronic GmbH
Naslov proizvajalca: Hofmark-Aich-Str. 36
Poštna številka proizvajalca: 84030
Kraj proizvajalca: Landshut
Država proizvajalca: Germany
Telefon proizvajalca: +499287710
Elektronski kontakt proizvajalca: https://www.vishay.com/
Kontakt odgovorne osebe za varnost: [email protected]
Država odgovorne osebe za varnost: Nemčija
Dokumenti
Tehnični podatki 597348 MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-E3 2 P-kanal 1.4 W SOIC-8
Navodila za uporabo in varnost 597348 MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-E3 2 P-kanal 1.4 W SOIC-8
Navodila za uporabo in varnost 597348 MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-E3 2 P-kanal 1.4 W SOIC-8
Navodila za uporabo in varnost 597348 MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-E3 2 P-kanal 1.4 W SOIC-8
Navodila za uporabo in varnost 597348 MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-E3 2 P-kanal 1.4 W SOIC-8
Navodila za uporabo in varnost 597348 MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-E3 2 P-kanal 1.4 W SOIC-8
Navodila za uporabo in varnost 597348 MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-E3 2 P-kanal 1.4 W SOIC-8
Navodila za uporabo in varnost 597348 MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-E3 2 P-kanal 1.4 W SOIC-8
Navodila za uporabo in varnost 597348 MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-E3 2 P-kanal 1.4 W SOIC-8
Navodila za uporabo in varnost 597348 MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-E3 2 P-kanal 1.4 W SOIC-8
Navodila za uporabo in varnost 597348 MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-E3 2 P-kanal 1.4 W SOIC-8
Navodila za uporabo in varnost 597348 MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-E3 2 P-kanal 1.4 W SOIC-8
Navodila za uporabo in varnost 597348 MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-E3 2 P-kanal 1.4 W SOIC-8
Navodila za uporabo in varnost 597348 MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-E3 2 P-kanal 1.4 W SOIC-8
Tehnični podatki
| Vrsta |
SI4948BEY-T1-E3 |
|---|---|
| Vrsta izdelka |
MOSFET |
| Ohišje |
SOIC-8 |
| Proizvajalec |
Vishay |
| Proizvajalec |
VIS |
| Izvedba |
P-kanal |
| I(d) |
2.4 A |
| U |
60 V |
| Moč (maks.) P(TOT) |
1.4 W |
| R(DS)(on) |
120 mΩ |
| R(DS) nazivni tok |
3.1 A |
| R(DS) referenčna napetost |
10 V |
| U(GS)(th) maks. |
3 V |
| U(GS) (th) referenčni tok maks. |
250 µA |
| Q(G) |
22 nC |
| Q(G) referenčna napetost |
10 V |
| Delovna temperatura min. |
-55 °C |
| Način montaže |
površinska montaža |
| Serija |
TrenchFET® |
| Delovna temperatura (maks.) |
+175 °C |
| Značilnost tranzistorja |
logična nivojska vrata |
| U(DSS) |
60 V |
| Kanali |
2 |
| Vsebina |
1 kos |

0 od 5