Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 N-kanal 150 W TO-220

Blagovna znamka Infineon Technologies

(0 ocen)

2,29 EUR

Koda izdelka: 162424
EAN: 2050000041150
Predvidena dobava:22.10.2026 - 23.10.2026

Opis

Tranzistor MOSFET je napetostno nadzorovana komponenta in ga je mogoče neposredno priključiti na visokoodporne vire. Zato je primeren za uporabo kot stikalo ali analogni ojačevalnik. Opomba: Proizvajalec SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

Besedilo je strojno prevedeno.

Dobava vključuje

MOSFET Infineon Technologies IRF640NPBF 1 N-kanal 150 W TO-220

Varnost izdelkov (GPSR)

Proizvajalčeva koda: IRF640NPBF

EAN koda: 2050000041150

Registrirana blagovna znamka: Infineon Technologies

Ime proizvajalca: Infineon Technologies AG

Naslov proizvajalca: Am Campeon 1-15

Poštna številka proizvajalca: 85579

Kraj proizvajalca: Neubiberg

Država proizvajalca: Germany

Telefon proizvajalca: +49892340

Elektronski kontakt proizvajalca: https://www.infineon.com/cms/de/

Kontakt odgovorne osebe za varnost: [email protected]

Država odgovorne osebe za varnost: Nemčija

Dokumenti

Tehnični podatki 162424 Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 N-kanal 150 W TO-220

Navodila za uporabo in varnost 162424 Infineon Technologies IRF640NPBF MOSFET 1 N-kanal 150 W TO-220

Tehnični podatki

Vrsta	IRF640NPBF
Vrsta izdelka	MOSFET
Ohišje	TO-220
Proizvajalec	Infineon Technologies
Proizvajalec	INF
Izvedba	N-kanal
I(d)	18 A
U	200 V
Moč (maks.) P(TOT)	150 W
R(DS)(on)	150 mΩ
R(DS) nazivni tok	11 A
R(DS) referenčna napetost	10 V
U(GS)(th) maks.	4 V
U(GS) (th) referenčni tok maks.	250 µA
Q(G)	67 nC
Q(G) referenčna napetost	10 V
C(ISS)	1160 pF
C(ISS) referenčna napetost	25 V
Delovna temperatura min.	-55 °C
Način montaže	luknja za skoznik
Serija	HEXFET®
Delovna temperatura (maks.)	+175 °C
Značilnost tranzistorja	standardni
U(DSS)	200 V
Kanali	1
Vsebina	1 kos

Ocene izdelka (0)

Izdelek nima komentarjev.

Skupna ocena:

0 od 5

Ocene pri komentarjih:

Ocenite izdelek

Vaša ocena: