Vaša košarica je prazna

Infineon Technologies IRF3205 MOSFET 1 n-kanal 200 W TO-220AB

Blagovna znamka Infineon Technologies
(0 ocen)
2,99 EUR
  • Koda izdelka: 158712
  • EAN: 2050000039195
  • Zaloga: 1545 kosov na zalogi.
  • Predvidena dobava:06.06.2024 - 12.06.2024

Opis

MOSFET-Tranzistor je napetostno krmiljena komponenta in se lahko priključijo direktno na visokoohmske izvore. Zaradi tega se največkrat uporabljajo kot stikala ali analogni ojačevalniki. Ta tranzistor je µC-, TTL- in CMOS-kompatibilni. Napotek: Proizvajalec SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

Dobava vključuje


MOSFET Infineon Technologies IRF3205 1 N-kanal 200 W TO-263-3

Navodila za uporabo


Tehnični podatki 158712 Infineon Technologies IRF3205 MOSFET 1 n-kanal 200 W TO-220AB

Tehnični podatki

Vrsta

IRF3205

Ohišje

TO-220AB

Proizvajalec

Infineon Technologies

Proizvajalec

INF

Izvedba

n-kanal

I(d)

110 A

U

55 V

Moč (maks.) P(TOT)

200 W

R(DS)(on)

8 mΩ

R(DS) nazivni tok

62 A

R(DS) referenčna napetost

10 V

U(GS)(th) maks.

4 V

U(GS) (th) referenčni tok maks.

250 µA

Q(G)

146 nC

Q(G) referenčna napetost

10 V

C(ISS)

3247 pF

C(ISS) referenčna napetost

25 V

Delovna temperatura min.

-55 °C

Način montaže

površinska montaža

Serija

HEXFET®

Delovna temperatura (maks.)

+175 °C

Značilnost tranzistorja

standardni

U(DSS)

55 V

Kanali

1

Vsebina

1 kos

Izvedba

N-kanal

Vrsta

IRF 3205

Ohišje

TO 220 AB

Vrsta izdelka

MOSFET

Ocene izdelka (0)

Izdelek nima komentarjev.
Skupna ocena:
0 od 5
Ocene pri komentarjih:
5
0%
4
0%
3
0%
2
0%
1
0%

Ocenite izdelek

Nalagam ...