Opis
Dobava vključuje
MOSFET Infineon Technologies BSS84P 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Varnost izdelkov (GPSR)
Proizvajalčeva koda: BSS84P
EAN koda: 2050000020520
Registrirana blagovna znamka: Infineon Technologies
Ime proizvajalca: Infineon Technologies AG
Naslov proizvajalca: Am Campeon 1-15
Poštna številka proizvajalca: 85579
Kraj proizvajalca: Neubiberg
Država proizvajalca: Germany
Telefon proizvajalca: +49892340
Elektronski kontakt proizvajalca: https://www.infineon.com/cms/de/
Kontakt odgovorne osebe za varnost: [email protected]
Država odgovorne osebe za varnost: Nemčija
Dokumenti
Tehnični podatki 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Navodila za uporabo in varnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Navodila za uporabo in varnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Navodila za uporabo in varnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Navodila za uporabo in varnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Navodila za uporabo in varnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Navodila za uporabo in varnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Navodila za uporabo in varnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Navodila za uporabo in varnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Navodila za uporabo in varnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Navodila za uporabo in varnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Navodila za uporabo in varnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Navodila za uporabo in varnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Navodila za uporabo in varnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Tehnični podatki
| Vrsta |
BSS84P |
|---|---|
| Vrsta izdelka |
MOSFET |
| Ohišje |
TO-236-3 |
| Proizvajalec |
Infineon Technologies |
| Proizvajalec |
INF |
| Izvedba |
P-kanal |
| I(d) |
170 mA |
| U |
60 V |
| Moč (maks.) P(TOT) |
360 mW |
| R(DS)(on) |
8 Ω |
| R(DS) nazivni tok |
170 mA |
| R(DS) referenčna napetost |
10 V |
| U(GS)(th) maks. |
2 V |
| U(GS) (th) referenčni tok maks. |
20 µA |
| Q(G) |
1.5 nC |
| Q(G) referenčna napetost |
10 V |
| C(ISS) |
19 pF |
| C(ISS) referenčna napetost |
25 V |
| Delovna temperatura min. |
-55 °C |
| Način montaže |
površinska montaža |
| Serija |
SIPMOS® |
| Delovna temperatura (maks.) |
+150 °C |
| Značilnost tranzistorja |
logična nivojska vrata |
| U(DSS) |
60 V |
| Kanali |
1 |
| Vsebina |
1 kos |
- Povej naprej:
-
-
-
0 od 5